电子行业正在向愈加紧凑而强盛的体系疾速转型。为了支撑这一趋向并进一步推进体系层面的翻新，寰球功率体系、汽车跟物联网范畴的半导体引导者英飞凌科技股份公司正在扩大其CoolSiC™ MOSFET 650 V单管产物组合，推出了采取Q-DPAK跟TOLL封装的两个全新产物系列。本文援用地点：这两个产物系列采取顶部跟底部冷却并基于CoolSiC™ Generation 2（G2） 技巧，其机能、牢靠性跟易用性均有明显进步。它们专门用于中高功率开关形式电源（SMPS）开辟，包含AI效劳器、可再生动力、充电桩、电动交通东西跟人形呆板人、电视机、驱动器以及固态断路器。CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 Q-DPAK TSCTOLL封装存在杰出的板载热轮回（TCoB）才能，可经由过程增加印刷电路板（PCB）占板面积实现紧凑的体系计划。在用于SMPS时，它还能增加体系级制作本钱。TOLL封装当初实用于更多目的利用，使PCB计划者可能进一步下降本钱并更好地满意市场需要。Q-DPAK封装的推出弥补了英飞凌正在开辟的新型顶部冷却（TSC）产物，包含CoolMOS™ 8、CoolSiC™、CoolGaN™跟OptiMOS™。TSC产物使客户可能以低本钱实现杰出的持重性以及更年夜的功率密度跟体系效力，还能将直接散热率进步至95%，经由过程实现PCB的双面应用更好地治理空间跟增加寄失效应。供货情形采取TOLL跟Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 650 V G2现已上市，前者的RDS(on)值为10至60 mΩ，后者的RDS(on)值为 7、10、15 跟 20 mΩ。